磁电阻测试结果表明：棋盘状结构的50% NiO体积比的 LSMO-NiO复合薄膜在200~300 K温度范围显示出较大的低场磁电阻效应 (在250 K和1 T下，LFMR = ~17%);纳米柱状结构的70%NiO的 LSMO-NiO复合薄膜在10~210 K温度范围显示出巨大的低场磁电阻效应 (在10 K和1 T下，LFMR = ~41%) (图3)。通过控制LSMO:NiO纳米复合薄膜的微结构，实现了温度区域可调的巨大的LFMR。微观组织结构对复合薄膜磁电阻性能的影响可以用有效电路模型解释。其作用机制是由于复合薄膜中存在LSMO/NiO界面的电子自旋散射和纳米尺度的LSMO/NiO/LSMO磁隧道结。相关研究结果已经发表在Advanced Functional Materials, 24(2014) 5393–5401。
这项研究工作得到了中科院百人计划，科技部973，国家自然科学基金，沈阳材料科学国家(联合)实验室基础前沿创新等项目的支持。
图3 (a)不同成分LSMO-NiO纳米复合薄膜的磁电阻随磁场变化曲线，(b)具有纳米柱状结构的70%NiO的LSMO:NiO薄膜的磁电阻随磁场变化曲线。
