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半导体集成电路的电极结构及其封装的形成方法.pdf

放大字体  缩小字体 发布日期:2010-01-19  浏览次数:297   关注:加关注
核心提示:半导体集成电路的电极结构及其封装的形成方法.pdf

【专利号(申请号)】97103192.4

【公开(公告)号】CN1164128

【申请人(专利权)】株式会社日立制作所

【申请日期】1997-1-16 0:00:00

【公开(公告)日】1997-11-5 0:00:00

一种电极结构及其制造方法:(i)制备具有规则相距的外缘接合焊盘的阵列的扁平方形IC芯片,沿芯片四边中每一边接合焊盘的数量由函数2i(2i-1)等量确定,其中“i”是整数,其还具有铝制外连接焊盘;(ii)接着通过无电镀技术在芯片上形成镍和金涂覆层;(iii)通过热压接合技术,使外缘接合焊盘与焊盘布局转换基片电接合,该转换基片用于把外缘接合焊盘重新布置成焊料焊盘的栅格阵列;(iv)在转换基片与IC芯片之间填充黏合树脂。

半导体集成电路的电极结构及其封装的形成方法.pdf
 

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关键词: 集成电路
 
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