【专利号(申请号)】200510026607.8
【公开(公告)号】CN1694276
【申请人(专利权)】上海交通大学
【申请日期】2005-6-9 0:00:00
【公开(公告)日】2005-11-9 0:00:00
一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法。属于传感器技术领域。本发明采用微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA光刻技术和微电镀技术制备曲折状三明治结构FeNi/Cu/FeNi软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层，避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明采用 MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
