【专利号(申请号)】200410080014.5
【公开(公告)号】CN1610066
【申请人(专利权)】清华大学
【申请日期】2004-9-24 0:00:00
【公开(公告)日】2005-4-27 0:00:00
本发明涉及分离双电极酸性化学镀制备集成电路铜互连线的金属化方法，属于化学镀应用领域。本方法用硅基板作为阴极，一面镀有难熔金属或其氮化物的硅基板作为阳极，对所述阳极基板暴露在外的硅表面裹覆一层银胶或有机胶保护层，防止其在化学镀过程中的腐蚀；将所述的阴极和阳极分离置于酸性溶液中，该阴极和阳极在酸性溶液中进行氧化还原反应，在难熔金属以及氮化物的硅基板上直接化学镀上一层铜膜。采用此工艺制备的铜膜颗粒均匀细小，与基板结合力强，具有(111)晶粒择优取向，不含氧化亚铜。此方法溶液配置方便，基板保护良好，生产步骤简单，成本低廉，是碱性和单电极酸性化学镀铜方法较好的替代方案。
