二氧化硅膜是防止玻璃中碱金属离子进入ITO膜的透明阻挡层，是当时国内外ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)产业规模生产的瓶颈难题。该项目在我国首次突破了中频反应双靶磁控溅射制备二氧化硅膜的关键技术，使沉积效率达到传统射频溅射的五倍以上，且具运行稳定、膜层致密和设备投资少等特点;同时首次突破了中频反应溅射制备二氧化硅膜与直流溅射制备ITO膜在线联镀的关键技术，从99年中起实现了大批量的规模生产。
完成单位：清华大学 深圳豪威真空光电子股份有限公司
联系电话：(010)6278180062785001
邮政编码：100084
成果类别：应用技术
成果水平：国际先进
限制使用：国内
成果密级：非密
鉴定日期：20011017
应用行业：工程和技术研究与试验发展
鉴定部门：教育部
转让方式：其他
分类号：TB383
