该成果在磁控溅射离子镀设备的基础上增设电子发射源和活化源装置，通过电子与气态分子或原子碰撞而使之激发或电离，促进沉积粒子活化。技术创新点是：离子率高。基板离化电流提高5倍;TiN合成反应充分;溅射清洗效果显著;膜基之间有一个300～800o/A的过渡层;纯钛中间层不仅与基体发生固态反应，而且与后膜镀有结构匹配关系，增加膜基结合力，划痕试验临界载荷为60N;Ti2N和TiN组成的膜显微维氏硬度为2200～2500。该技术属国内领先，溅射清洗和过渡层为90年代初国际水平。
完成单位：大连理工大学
邮政编码：116024
成果类别：应用技术
成果水平：国际先进
限制使用：国内
成果密级：非密
鉴定日期：19931210
应用行业：金属表面处理及热处理加工
转让方式：培训、咨询
分类号：TG174.442
