公开日 20071120
发明人 BHATTACHARYA R N
受让人 Davis, Joseph & Negley
采用铜铟镓二硒薄膜制备了一种总转换效率至少9.0%的光生伏打电池。该薄膜的制备采用含有缓冲剂的电镀液,在基体上同时电沉积铜、铟、镓和硒。电沉积后,通过加入铟来调整薄膜的最终化学计量。
公开日 20071120
发明人 BHATTACHARYA R N
受让人 Davis, Joseph & Negley
采用铜铟镓二硒薄膜制备了一种总转换效率至少9.0%的光生伏打电池。该薄膜的制备采用含有缓冲剂的电镀液,在基体上同时电沉积铜、铟、镓和硒。电沉积后,通过加入铟来调整薄膜的最终化学计量。
豫公网安备41010502006893号