公开号 1867703
公开日 20061122
申请人 塞米图尔公司
地址 美国蒙大拿州
本发明公开了用于填充微电子工件(101)的凹陷微结构的电镀组合物和电镀方法，所述工件如具有金属化的半导体晶片。所述电镀组合物可包括铜和硫酸的混合物，其中铜的浓度对硫酸的浓度的比为约0.3 ~ 0.8 g/L(克/升溶液)。本发明公开的电镀组合物也可以包括铜和硫酸的混合物，其中当硫酸浓度为约65 ~ 150 g/L时铜的浓度接近其溶解度极限。所述电镀组合物也可包括常规的添加剂，如加速剂、抑制剂、卤化物和/或整平剂。本发明公开了用于在功能部件如在半导体工件上形成的沟槽和/或接触孔中电化学沉积导体材料的方法，包括适合在多阳极反应器中使用本发明公开的电镀液的方法。
