半导体芯片背面采用多层金属化以替代原镀Ni或蒸Au工艺，成膜质量可达到或接近国外产品先进水平。该技术与相应的烧结工艺相配，可使功率半导体器件的成品率和可靠性有明显提高，热阻下降约30%;二次击穿功率耐量提高约40%;烧结成品率提高10%以上。该技术应用于北京市半导体器件五厂的三端集成稳压器生产后，使该类稳压器的产品质量大幅度提高，并使其芯片粘接成品率提高40%以上。目前，该技术已推广到全国11省市20多个工厂和研究所，获得了显著的经济和社会效益。
完成单位：清华大学微电子学研究所
邮政编码：100044
成果类别：应用技术
成果水平：国内先进
限制使用：国内
成果密级：非密
鉴定日期：19860000
应用行业：电子器件制造
鉴定部门：清华大学
转让方式：技术咨询，
分类号：TN304.055
关键词：多层金属化 金属化作用 半导体器件
