【简介】
提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术：KOH腐蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完成，可实现互连密度200／cm^2的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本，提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明，该结构能够满足MIL-STD对封装结构气密性的要求，同时其焊层键合强度可达8MPa以上。本工作初步在工艺方面实现了该封装结构，为进一步的实用化研究奠定了基础。
