【简介】
采用光刻和电镀技术在5mm×5mm×0．2mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50μm×50μm的CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列，并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试．结果表明：薄膜阵列的组成为：Co90．32wt％、Ni7．83wt％、Mn0．74wt％、P1．11wt％，阵列垂直方向磁性能为：Hc=59．7kA／m，Br=0．53T，(BH)max=11．3kJ／m^3；阵列水平方向磁性能为：Hc=27．8kA／m，Bx=53715T，(BH)max=1．585kJ／m^3．
