【简介】
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N 电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了P—GaN表面处理对Ni／Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明，用K0H清洗P—GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni／Au与p—GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响，当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响，发现在480℃下连续退火对N接触有利，但却使P接触变差，而450℃ 、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
