【简介】
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底，以形成一定的图案；利用LP—MOCVD在经过不同腐蚀时问的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析．结果表明，对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下，外延生长的GaN薄膜晶体质量最优，其(0002)面上的XRD半峰全宽为202．68arcsec，(10—12)面上的XRD半峰全宽为300．24arcsec；其均方根粗糙度(RMS)为0．184 nm．
【简介】
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底，以形成一定的图案；利用LP—MOCVD在经过不同腐蚀时问的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析．结果表明，对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下，外延生长的GaN薄膜晶体质量最优，其(0002)面上的XRD半峰全宽为202．68arcsec，(10—12)面上的XRD半峰全宽为300．24arcsec；其均方根粗糙度(RMS)为0．184 nm．
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