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新型无氰电镀工艺制备Au-Bi合金靶

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-05-09  浏览次数:449   关注:加关注
核心提示:新型无氰电镀工艺制备Au-Bi合金靶

摘 要:提出一种无氰碱性镀液体系制备Au-Bi合金微靶的脉冲电沉积方法。采用亚硫酸盐-酒石酸盐镀液体系,通过调控镀液成分及脉冲参数,有效控制合金组分(铋含量控制在1.5%~9.5%),实现了金、铋的共沉积;同时研究了温度、电流密度及铋的浓度等对合金含量和镀层表面形貌的影响。通过实验获得制备合金微靶的最佳配方及工艺参数为:氯化铋6g/100mL,金0.15g/100mL,酒石酸钾钠12.50g/100mL,氨水0.85mL/100mL,亚硫酸铵6.50mL/100mL,氯化钾5.00g/100mL,柠檬酸钾5.50g/100mL,十二烷基硫酸钠0.002g/100mL,酒石酸锑钾0.035g/100mL;频率500Hz,平均电流65μA,占空比1∶7,温度45℃。根据上述配方及工艺参数,制备出了表面平整均匀、外观光亮、成分可控的Au-Bi合金柱腔靶。[著者文摘]

新型无氰电镀工艺制备Au-Bi合金靶.pdf
 

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