摘 要:从0.13μm工艺节点开始，铜电镀（ECP）和化学机械抛光技术（CMP）成为VLSI（超大规模集成电路）多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺。铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均匀，形成互连RC延迟，影响芯片性能和良率；研究发现，铜CMP后的厚度变异不只受CMP影响，还受ECP后芯片厚度影响；文章介绍了ECP、CMP对铜CMP后厚度影响的实验研究，针对CMP后厚度不均匀性的解决方法，着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术，如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模型的金属填充等。[著者文摘]
