摘 要:在绝缘材料表面涂布活化催化膜，通过光选择性活化，然后在无电解电镀溶液中沉积金属电路是高密度封装和３－维ＭｌＤ关最理想的方法之一，，但目前所采用的光源多，使用波长均在３００ｎｍ以下，大规模实用有一定困难。本工作选择了３种Ｐｄ盐作为活性催化剂，研究使用紫外光１－线和ｇ－线在ＡＢＳ树脂上沉积铜线路的方法。实验结果表明，Ｐｄｌ２具有对紫外光敏感性，单独用作活化催化剂时可在ＡＢＳ上沉积负性金属铜图形，当它和
摘 要:在绝缘材料表面涂布活化催化膜，通过光选择性活化，然后在无电解电镀溶液中沉积金属电路是高密度封装和３－维ＭｌＤ关最理想的方法之一，，但目前所采用的光源多，使用波长均在３００ｎｍ以下，大规模实用有一定困难。本工作选择了３种Ｐｄ盐作为活性催化剂，研究使用紫外光１－线和ｇ－线在ＡＢＳ树脂上沉积铜线路的方法。实验结果表明，Ｐｄｌ２具有对紫外光敏感性，单独用作活化催化剂时可在ＡＢＳ上沉积负性金属铜图形，当它和
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