利用扫描电子显微镜改进GaAs MESFET背面通孔电镀工艺

发布日期：2012-05-14 浏览次数：337 关注：加关注

核心提示：利用扫描电子显微镜改进GaAs MESFET背面通孔电镀工艺

摘　要:利用扫描电子显微镜对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ背面通孔形貌及电镀状况进行了分析，并对电镀工艺进行了改进。给出了大量改善前后的电镜照片图形。

关键词： 关键词:扫描电子显微镜背面通孔电镀

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