镀覆方法、导电膜及透光电磁波屏蔽膜

公开日       20080424

发明人  MATSUMOTO J

地址  Buchanan, Ingersoll & Rooney PC, Post Office Box 1404, Alexandria, VA 22313-1404, U.S.

一种镀覆方法，可连续电镀表面电阻为1 ~ 1 000 Ω/sq的膜层，镀液中的铜以五水合硫酸铜的形式添加，其质量浓度为150 ~ 300 g/L。