摘要：采用电沉积法在碳紊钢基片上分别沉积Cu膜和Ni膜，用数码相机拍摄沉积不问膜厚时基片的弯曲状况，并上传到计算机计算出薄膜内的平均残余应力及分布残余应力。结果表明：Cu膜和Ni膜的平均残余应力和分布残余股力均为拉应力；当膜厚较小时（0.5～3μm），Cu膜的平均残余应力和分布残余应力随着膜厚的增加急剧降低，随着膜厚的进一步增加两种残余应力都趋于稳定；Ni膜的平均残余应力随着膜厚的增加而增加，分布残余应力总体趋势是随着膜厚的增加而增加，由实验结果可以认为：膜内的界面应力为拉应力而Ni膜内的界面向力为压应力，与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng（TFDC）电子理论的判断结果一致。
