摘要：利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜，对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过X射线能量 色散谱仪（H）S）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析，结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀，具有较高的光吸收系数，导电类型均为n型。
摘要：利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜，对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过X射线能量 色散谱仪（H）S）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析，结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀，具有较高的光吸收系数，导电类型均为n型。
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