【专利号(申请号)】99814126.7
【公开(公告)号】CN1329681
【申请人(专利权)】纳托尔公司
【申请日期】1999-11-2 0:00:00
【公开(公告)日】2002-1-2 0:00:00
本发明把电解液里的导体材料沉积到晶片的预定区域上。作出本申请所用的步骤包括当该晶片被置于阴极和阳极之间时，应用在晶片表面上的电解液，把导体材料镀到晶片的预定区域上，并且在电镀导体材料时，通过对其它区域进行机械抛光，阻止导体材料积累到不是预定区域的区域上。
【专利号(申请号)】99814126.7
【公开(公告)号】CN1329681
【申请人(专利权)】纳托尔公司
【申请日期】1999-11-2 0:00:00
【公开(公告)日】2002-1-2 0:00:00
本发明把电解液里的导体材料沉积到晶片的预定区域上。作出本申请所用的步骤包括当该晶片被置于阴极和阳极之间时，应用在晶片表面上的电解液，把导体材料镀到晶片的预定区域上，并且在电镀导体材料时，通过对其它区域进行机械抛光，阻止导体材料积累到不是预定区域的区域上。
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豫公网安备41010502006893号
