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离子束加速电压对真空电弧沉积TiC_N涂层性能的影响.PDF

放大字体  缩小字体 发布日期:2006-06-08  浏览次数:434   关注:加关注
核心提示:离子束加速电压对真空电弧沉积TiC_N涂层性能的影响.PDF

【简介】

利用等离子辅助真空电弧沉积技术分别在高速钢片和单晶硅片制备了Ti(C,N)涂层,通过X 射线衍射和扫描电镜研究了不同离子加速电压对单晶硅片上涂层结构和组织形貌的影响,并测定了高速钢片上涂层的显微硬度,同时进行了耐磨性实验。结果表明:涂层主要由TiN和Ti(C,N)组成;随着离子束加速电压的增大,涂层的沉积速度增大,Ti(C,N)的衍射峰不断宽化,晶格尺寸发生变化,但其表面形貌不受影响;当离子束加速电压为1500V时,涂层有较高的耐磨性和显微硬度;当离子束加速电压为2500V时,涂层的耐磨性和显微硬度都有所下降。

离子束加速电压对真空电弧沉积TiC_N涂层性能的影响.PDF
 

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