摘 要：采用循环伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)对铜电沉积及阳极氧化机理的影响。研究结果表明：电解底液循环伏安分别在0.06 V 和−0.25 V 出现还原峰a 和b，在0.10 V 和0.23 V 出现氧化峰b′和a′。As(Ⅲ)加速铜的电沉积，As(Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)均改变铜的沉积机理，使两步反应变成一步反应，其中，加入Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)的电解液在−0.13 V 附近出现杂质Sb 和Bi 的还原峰；这些杂质均抑制铜的氧化反应，改变阳极氧化机理，使两步氧化变为一步氧化反应；将As(Ⅲ,Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)单独加入电解液中，电极过程均产生电活性物质吸附，均使电极过程阻抗减小。
