摘要：通过霍尔槽试验研究氨络合物体系中杂质zn2+对镍电沉积的影响，采用电化学工作站测试不同zn2+浓度时的循环伏安曲线、稳态极化曲线及电流时间暂态曲线。结果表明：杂质zn2+的含量为0.1g/L时，在小于2.78/dm的电流密度范围内可正常沉积出金属镍；杂质zn2+含量大于0.5g/L时，在较大的电流密度范围内均无法正常沉积出金属镍；过电位小于640mV时，zn2+的存在不影响阴极反应的传递系数，且不改变阴极反应机理；当过电位大于640mV，且杂质zn2+的浓度大于0.5g/L时，阴极反应的传递系数减小，阴极反应机理发生改变；杂质zn2+浓度大于0.5g/L时，严重影响镍电结晶过程的成核速率，这是其抑制金属镍电沉积的主要原因。因此，采用镍氨络合物体系电积金属镍，应控制杂质zn2+的含量小于0.1g/L。
