一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法

(10)申请公布号 CN 102617047 A (43)申请公布日2012. 08. 01

(12)发明专利申请

(21) 申请号 201210078082. 2

(22) 申请日 2012. 03. 22

1. 申请人联海(国际)玻璃技术有限公司 地址313200浙江省湖州市德清县武康镇长

虹东街857号

2. 发明人姚联根 陈海平 杨德兵 屠松柏

(74)专利代理机构湖州金卫知识产权代理事务 所(普通合伙)33232

代理人赵卫康

(51) Int. Cl.

C03C 17/36(2006.01) B32B 9/04 (2006.01) B32B 15/00 (2006. 01) B32B 17/00(2006. 01)

(54)发明名称

一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种双功能低辐射镀膜玻璃及 其制作方法，双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基 片，所述玻璃基片上依次设有氮化硅层、氧化锌铝 层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬层、氧化钛层及 氮化硅保护层。其制作方法为将离线高真空磁控 溅射设备的真空度设置在103Pa，线速度设置为7-2. lm/min ;依次在玻璃基片上真空溅射氮化 硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬 层、氧化钛层及氮化硅保护层。本发明的镀膜玻 璃，以白玻为基片，降低了成本，膜层热稳定性、牢 固性、抗氧化性极强，在常温下放置8个月不影响 使用，由于能够进行热处理，极大的降低了镀膜的 生产成本，便于运输，而且其具有低传热系数和低 遮阳系数。

1. 一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片(1)，其特征在于：所述玻璃基片(1)上 依次设有氮化硅层(2 )、氧化锌铝层(3 )、金属钛层(4 )、金属银层(5 )、氧化镍铬层(6 )、氧化 钛层(7)及氮化硅保护层(8)。

2. 根据权利要求1所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片

(1)的厚度为6-10mm，所述氮化硅层(2)的厚度37_43nm，所述氧化锌铝层(3)的厚度为 17-24nm，所述金属钛层(4)的厚度为7-lOnm，所述金属银层(5)的厚度为11. 5-12. 5nm，所 述氧化镍铬层(6)的厚度为ll_14nm，所述氧化钛层(7)的厚度为13_17nm，所述氮化硅保护 层(8)的厚度为61-69nm。

3. 根据权利要求2所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片(1) 的厚度为6mm。

4. 根据权利要求3所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述氮化硅层(2) 的厚度39nm,所述氧化锌招层(3)的厚度为19nm,所述金属钛层(4)的厚度为8nm,所述金 属银层(5)的厚度为12nm，所述氧化镍铬层(6)的厚度为13nm，所述氧化钛层(7)的厚度为 15nm,所述氮化娃保护层(8)的厚度为64nm。

5. 一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

:将6-10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真 空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为1. 7-2. lm/min ;

:将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率 为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层(2);

:设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层 17-24nm的氧化锌铝层(3);

:设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 5-4. 0KW，在玻璃基片上溅射第三层 7-10nm金属钛层(4);

:设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12. 5KW，在玻璃基片上溅射第四层 11. 5-12. 5nm的金属银层(5);

:设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 6-6. 2KW，在玻璃基片上溅射第五层 ll-14nm的氧化镍铬层(6);

:设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层 13-17nm的金属钛层(7);

:设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层 61-69nm的氮化娃保护层(8)。

6. 根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：

所述步骤a)中，所述玻璃基片的厚度为6mm ;

所述步骤b)中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射 第一层39nm的氮化娃层(2);

所述步骤c)中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17. 5KW，在玻璃基片上溅 射第二层19nm的氧化锌铝层(3);

所述步骤d)中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 8KW，在玻璃基片上溅 射第三层8nm金属钛层(4);

所述步骤e)中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射 设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层(5);

所述步骤f)中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 8KW，在玻璃基片上溅 射第五层13nm的氧化镍铬层(6);

所述步骤g)中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射 第六层15nm的金属钛层(7);

所述步骤h)中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射 第七层64nm的氮化硅保护层(8)。

1. 根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述 步骤a)中，线速度设置为2. 0-2. lm/min。

2. 根据权利要求7所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述 步骤a)中，线速度设置为2. lm/min。

3. 根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述 步骤b)-步骤h)之间是持续进行的。

4. 根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述 步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。

一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法

技术领域

[1] 本发明涉及一种玻璃及其制作方法，更具体的说涉及一种利用白玻制作的低辐射 镀膜玻璃及制作方法。

背景技术

[2] 低辐射镀膜玻璃具有低传热性能和较低的遮阳系数，专利申请号为 CN201110060204. 0、申请日为2011年03月13日的中国发明专利公开了一种可钢化的低辐 射镀膜玻璃及其制备方法，在玻璃基片的表面从下至上依次设置电介质层I、电介质层II、 金属阻挡层I、银层、金属阻挡层II、电介质层III和电介质层IV;电介质层I与玻璃基片 的表面相连，电介质层I和电介质层IV为氧化娃层，电介质层II和电介质层III为氧化 锌的锡酸盐层，金属阻挡层I和金属阻挡层II为镍铬合金层。但是，其遮阳系数在0.6左 右，遮阳效果差。

发明内容

[3] 本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种双功能低辐射镀膜玻璃及其 制作方法，其以白玻为基片，制作出来的镀膜玻璃具有低传热系数和低遮阳系数。

[4] 为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：一种双功能低辐射镀膜玻璃，包 括玻璃基片，所述玻璃基片上依次设有氮化硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍 铬层、氧化钛层及氮化硅保护层。

[5] 作为优选，所述玻璃基片的厚度为6-10mm,所述氮化娃层的厚度37_43nm,所述 氧化锌铝层的厚度为17-24nm，所述金属钛层的厚度为7-10nm，所述金属银层的厚度为 11. 5-12. 5nm、所述氧化镍铬层的厚度为ll_14nm，所述氧化钛层的厚度为13_17nm，所述氮 化硅保护层的厚度为61-69nm。

[6] 作为优选，所述玻璃基片的厚度为6mm。

[7] 作为优选，所述氮化硅层的厚度39nm，所述氧化锌铝层的厚度为19nm，所述金属 钛层的厚度为8nm，所述金属银层的厚度为12nm，所述氧化镍铬层的厚度为13nm，所述氧化 钛层的厚度为15nm,所述氮化娃保护层的厚度为64nm。

[8] 一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤：

:将6-10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真 空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为1. 7-2. lm/min ;

:将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率 为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层;

:设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层 17-24nm的氧化锌铝层;

:设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 5-4. 0KW，在玻璃基片上溅射第三层 7-10nm金属钛层;

a) :设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12. 5KW，在玻璃基片上溅射第四层

[1] 5-12. 5nm的金属银层;

b) :设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 6-6. 2KW，在玻璃基片上溅射第五层 ll-14nm的氧化镍铬层;

c) :设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层 13-17nm的金属钛层;

d) :设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层 61-69nm的氮化娃保护层。

作为优选，所述步骤a)中，所述玻璃基片的厚度为6mm ;

所述步骤b)中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射 第一层39nm的氮化娃层;

所述步骤c)中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17. 5KW，在玻璃基片上溅 射第二层19nm的氧化锌铝层;

所述步骤d)中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 8KW，在玻璃基片上溅 射第三层8nm金属钛层;

所述步骤e)中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射 设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层;

所述步骤f)中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 8KW，在玻璃基片上溅 射第五层13nm的氧化镍铬层;

所述步骤g)中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射 第六层15nm的金属钛层;

所述步骤h)中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射 第七层64nm的氮化娃保护层。

作为优选，所述步骤a)中，线速度设置为2. 0-2. lm/min。

作为优选，所述步骤a)中，线速度设置为2. lm/min。

作为优选，所述步骤b)-步骤h)之间是持续进行的。

作为优选，所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。

本发明有益效果在于：

本发明的镀膜玻璃，以白玻为基片，降低了成本，膜层热稳定性、牢固性、抗氧化性极 强，在常温下放置8个月不影响使用，由于能够进行热处理(钢化)，极大的降低了镀膜的生 产成本，便于运输，而且其具有低传热系数和低遮阳系数。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

以下所述仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明的范围进行限定。

实施例1，见附图1，一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片为白 玻，所述玻璃基片1上依次设有氮化硅(SiNx)层2、氧化锌铝层(ZnAlOx) 3、金属钛层4Ti)、金属银层(Ag) 5、氧化镍铬层(NiCrOx) 6、氧化钛层(TiOx) 7及氮化娃(SiNx)保护层 8。

[1] 所述玻璃基片1的厚度为6_，所述氮化硅层2的厚度37nm，所述氧化锌铝层3的 厚度为17nm，所述金属钛层4的厚度为7nm，所述金属银层5的厚度为11. 5，所述氧化镍铬 层6的厚度为llnm,所述氧化钛层7的厚度为13nm,所述氮化娃保护层8的厚度为61nm。

[2] 一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤：

11. :将6_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁 控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为1. 7m/min ;

12. :将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率 为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37nm的氮化硅层2 ;

13. :设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16KW，在玻璃基片上溅射第二层17nm 的氧化锌铝层3 ;

14. :设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 5KW，在玻璃基片上溅射第三层7nm 金属钛层4 ;

e ):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10 KW，在玻璃基片上溅射第四层

a) 5nm的金属银层5 ;

:设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 6KW，在玻璃基片上溅射第五层llnm 的氧化镍铬层6 ;

:设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70KW，在玻璃基片上溅射第六层13nm 的金属钛层7 ;

:设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80KW，在玻璃基片上溅射第七层61nm 的氮化硅保护层8。其中，在镀膜的时候，所述步骤b)_步骤h)之间是持续进行的，在所述 步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。

[3] 本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及 特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下：

可见光透射比：42% ;

可见光反射比：25%;

遮阳系数：0. 32〜0. 35 ;

传热系数：1. 35〜1. 55。

[4] 实施例2，所述玻璃基片1的厚度为10mm，所述氧化硅层2的厚度43nm，所述氧化 锌铝层3的厚度为24nm，所述金属钛层4的厚度为10nm，所述金属银层5的厚度为12. 5nm、 所述氧化镍铬层6的厚度为14nm，所述氧化钛层7的厚度为17nm，所述氧化硅保护层8的 厚度为69nm。

[5] 一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤：

:将10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空 磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为2. lm/min ;

:将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率 为56KW，在玻璃基片上溅射第一层43nm的氮化硅层2 ;

:设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为20KW，在玻璃基片上3 ;

a) :设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4. 0KW，在玻璃基片上溅射第三层10nm 金属钛层4 ;

b) :设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为12. 5KW，在玻璃基片上溅射第四层

[1] 5nm的金属银层5 ;

c) :设置第五离线高真空磁控溉射设备的功率为6. 2KW，在玻璃基片上溉射第五层14nm 的氧化镍铬层6 ;

d) :设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为74KW，在玻璃基片上溅射第六层17nm 的金属钛层7 ;

e) :设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为84KW，在玻璃基片上溅射第七层69nm 的氮化硅保护层8。

其中，在镀膜的时候，所述步骤b)_步骤h)之间是持续进行的，在所述步骤a)中， 玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。

本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及 特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下：

可见光透射比：42% ;

可见光反射比：25%;

遮阳系数：0. 29〜0. 35 ;

传热系数：1. 25〜1. 55。

实施例3，玻璃基片的厚度为6mm，所述氧化硅层2的厚度39nm，所述氧化锌铝层3 的厚度为19nm,所述金属钛层4的厚度为8nm,所述金属银层5的厚度为12nm、所述氧化镍 铬层6的厚度为13nm，所述氧化钛层7的厚度为15nm，所述氧化硅保护层8的厚度为64nm。

a):将6_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高 真空磁控濺射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为2. lm/min ;

:将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率 为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化硅层2 ;

:设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17. 5KW，在玻璃基片上溅射第二层 19nm的氧化锌招层3 ;

:设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm 金属钛层4 ;

:设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm 的金属银层5 ;

:设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm 的氧化镍铬层6 ;

:设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm 的金属钛层7 ;

:设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81KW，在玻璃基片上溅射第七层64nm 的氮化硅保护层8。

其中，在镀膜的时候，所述步骤b )-步骤h )之间是持续进行的，没有间隔，在所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。

[1] 本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及 特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下：

可见光透射比：42% ;

可见光反射比：25% ;

遮阳系数：0. 29〜0. 35;

传热系数：1. 1〜1. 55。

[2] 以上说明仅仅是对发明的解释，使得本领域普通技术人员能完整的实施本方案， 但并不是对发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做 出没有创造性贡献的修改，这些都是不具有创造性的修改。但只要在发明的权利要求范围 内都受到专利法的保护。

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