最近，沈阳材料科学国家(联合)实验室磁性材料与磁学研究部王占杰课题组，采用脉冲激光沉积方法，通过自组装生长模式，制备了多种复合结构的锰氧化物纳米复合薄膜;通过控制锰氧化物纳米复合薄膜的微结构，实现了温度区域可调的巨大的低场磁电阻效应。其中，具有棋盘状纳米结构的复合薄膜在室温附近显示出较大的低场磁电阻效应，因而在室温磁电阻微电子元器件上有广泛的应用前景。这一研究成果对巨磁电阻锰氧化物材料的研究和应用将起到重要的推动作用。
磁电阻效应 (Magnetoresistance: MR) 是指材料的电阻随磁场而变化的现象。近年来, 巨磁电阻效应已经广泛地应用于数据读取磁头、磁随机存储器、磁传感器等微电子元器件上。上世纪90年代初，人们在掺杂锰氧化物薄膜中发现了比巨磁电阻效应更大的MR值，故称为庞磁电阻效应 (Colossal magnetoresistance, CMR)。因此，锰氧化物材料受到了研究者的广泛关注。大量的研究结果表明，虽然锰氧化物的本征磁电阻值很大，但是存在着适用温度区间窄，要求外加磁场高(~3 特斯拉)等问题，至今尚未得到实际应用。1996年Hwang等人发现，多晶钙钛矿锰氧化物薄膜在远低于居里温度的低温，在很小的外加磁场下具有显著的磁电阻效应，称其为低场磁电阻效应 (Low-field magnetoresistance, LFMR)。人们已经尝试了多种方法用于提高锰氧化物的低场磁电阻，包括人工形成晶界、引入缺陷以及高阻态的第二相等。但是其低场磁电阻效应的温度区间多位于10-150 K的低温，而无法在室温附近应用。因此，在增加锰氧化物薄膜的低场磁电阻的同时，如何提高其发生温度是需要解决的一个关键问题。
针对这一问题，该课题组研究人员在La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO)中引入NiO第二相，采用脉冲激光沉积方法 (Pulsed Laser Deposition: PLD)，
