申请号：200710044800.3
名称：半导体器件中铜的电镀方法
公开(公告)号：CN101364542
公开(公告)日：2009.02.11
主分类号：H01L21/288(2006.01)I
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
地址：201203上海市浦东新区张江路18号
发明(设计)人：刘艳吉
专利代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
摘要
本发明公开了一种半导体器件中铜的电镀方法，包括步骤：将衬底放置于电镀设备内；提供第一电镀电流对所述衬底进行第一电镀处理；提供第二电镀电流对所述衬底进行第二电镀处理，且所述第二电镀电流大于所述第一电镀电流；提供第三电镀电流对所述衬底进行第三电镀处理，且所述第三电镀电流大于所述第二电镀电流；提供第四电镀电流对所述衬底进行第四电镀处理，且所述第四电镀电流大于所述第三电镀电流。本发明的铜的电镀方法，采用了四步电镀的方法，兼顾了对填充质量及生产效率两方面要求。
