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半导体器件的制造方法 2.pdf

发布日期：2010-01-19 浏览次数：625 关注：加关注

核心提示：半导体器件的制造方法 2.pdf

【专利号(申请号)】200510078832.6

【公开(公告)号】CN1702827

【申请人(专利权)】株式会社东芝

【申请日期】2005-5-26 0:00:00

【公开(公告)日】2005-11-30 0:00:00

根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成 Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

关键词： 半导体器件

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