【专利号(申请号)】00800178.2
【公开(公告)号】2000.02.17
【申请人(专利权)】精工爱普生株式会社
【申请日期】2000-2-17 0:00:00
【公开(公告)日】2001-5-9 0:00:00
半导体装置包含：在布线图形（21）的一个面上形成的第1电镀层（30）；在布线图形（21）中的通孔（28）内形成的第2电镀层（32）；与第1电镀层（30）导电性地连接的半导体芯片（10）；在第1电镀层（30）上设置的各向异性导电材料（34）；以及在第2电镀层（32）上设置的导电材料（36），第1电镀层（30）的性质适合于与各向异性导电材料（34）的密接性，第2电镀层（32）的性质适合于与导电材料（36）的接合性。
